Selon des médias étrangers, des ingénieurs de l'Electronic Information Technology Institute (Leti), filiale de l'Agence française de l'énergie atomique (CEA), affirment que leur nouvelle méthode de production de micro-LED révolutionnera la production d'écrans hautes performances, LCD et Excellente qualité d'image et design d'efficacité énergétique comparés aux LED organiques (OLED).
François Templier, directeur de la stratégie marketing de Leti Photonics, a récemment introduit un nouveau procédé de fabrication combinant des semi-conducteurs émetteurs de lumière et des circuits de commande à base de silicium lors de la semaine d'affichage de la Société internationale d'affichage d'informations (SID) à San Jose, en Californie.
Le développement d'écrans de grande taille exigeant une résolution d'image supérieure signifie que des appareils électroniques plus rapides sont nécessaires pour piloter tous les types d'écrans, y compris le nouveau Micro commercial de Samsung, qui inclut des millions d'émetteurs de pixels individuels. Format LED et autres produits.
Cependant, les circuits de commande existants basés sur des conceptions à matrice active à transistors à couches minces (TFT) ne fournissent pas les exigences de courant et de vitesse requises. La nouvelle méthode développée par Leti produit un écran GaN Micro LED haute performance piloté par CMOS avec un processus de transfert simplifié qui élimine la nécessité d’un fond de panier TFT conventionnel. Les micro-LED rouges, vertes et bleues sont empilées directement sur le circuit micro CMOS avant de transférer chaque unité sur un substrat de réception simple. Les émetteurs de lumière et le fond de panier sont simultanément fabriqués à l’échelle de la tranche sur une seule ligne de traitement de semi-conducteurs.
